Infineon Pチャンネル パワーMOSFET

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内容量1セット(50個) 仕様チャンネルタイプ:P 、 最大連続ドレイン電流:11.3 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:270 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:2V 、 最低ゲートしきい値電圧:1V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:TO-220 、 実装タイプ:スルーホール 、 トランジスタ構成:シングル 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:128 W 、 動作温度 Max:+175 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応 注文コード49260314 品番SPP15P10PLHXKSA1
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥10,998
販売価格(税別)
9,998
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仕様チャンネルタイプ:P 、 最大連続ドレイン電流:11.3 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:270 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:2V 、 最低ゲートしきい値電圧:1V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:TO-220 、 実装タイプ:スルーホール 、 トランジスタ構成:シングル 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:128 W 、 動作温度 Max:+175 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応 RoHS指令(10物質対応)対応

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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