IRF7420TRPBF Infineon Pチャンネル パワーMOSFET INFINEON 49260339

Infineon Pチャンネル パワーMOSFET

商品レビューを投稿する
取扱い終了
お気に入りに追加
内容量1リール(4000個) 仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:11.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧:12 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:26 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:0.9V●最低ゲートしきい値電圧:0.4V●最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.5 W●シリーズ:HEXFET●PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 注文コード49260339 品番IRF7420TRPBF
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
参考基準価格(税別)オープン
この商品は仕様・内容量など122種類から選べます 他の種類を見る
仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:11.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧:12 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:26 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:0.9V●最低ゲートしきい値電圧:0.4V●最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.5 W●シリーズ:HEXFET●PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 RoHS指令(10物質対応)対応

商品レビュー

商品レビューを投稿すると毎月抽選で 1,000名様500円クーポンをプレゼント!

よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

「ディスクリート」にはこんなカテゴリがあります

シェアする