内容量1リール(4000個)
仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:11.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧:12 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:26 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:0.9V●最低ゲートしきい値電圧:0.4V●最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.5 W●シリーズ:HEXFET●PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49260339
品番IRF7420TRPBF