内容量1リール(4000個)
仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:12 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:11.9 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2.4V●最低ゲートしきい値電圧:1.3V●最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.5 W●トランジスタ素材:Si●PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49260375
品番IRF9388TRPBF