内容量1リール(1000個)
仕様チャンネルタイプ:P 、 最大連続ドレイン電流:180 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:40 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:3.9 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:2.2V 、 最低ゲートしきい値電圧:1.2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 V 、 パッケージタイプ:D2PAK (TO-263) 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:7 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:150 W 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 Infineon OptiMOS(TM)P PチャンネルパワーMOSFET. Infineon OptiMOS(TM) PチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。 超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。 用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。強化モード アバランシェ定格 スイッチングロスと導電損失が低い 無鉛めっき、RoHS準拠 標準パッケージ OptiMOS(TM) Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲
注文コード49260655
品番IPB180P04P4L02ATMA1