製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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Infineon PチャンネルパワーMOSFET

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内容量1リール(2500個) 仕様チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：50 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：40 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：17.2 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2.2V 、最低ゲートしきい値電圧：1.2V 、最大ゲート-ソース間電圧：-16 V， +16 V 、パッケージタイプ：DPAK (TO-252) 、実装タイプ：表面実装、ピン数：3 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：58 W 、標準ターンオン遅延時間：12ns 、 Infineon OptiMOS P PチャンネルパワーMOSFET. Infineon OptiMOS PチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。. 強化モードアバランシェ定格スイッチングロスと導電損失が低い無鉛めっき、RoHS準拠標準パッケージ OptiMOS Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲注文コード49260899 品番IPD50P04P4L11ATMA1

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仕様チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：50 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：40 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：17.2 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2.2V 、最低ゲートしきい値電圧：1.2V 、最大ゲート-ソース間電圧：-16 V， +16 V 、パッケージタイプ：DPAK (TO-252) 、実装タイプ：表面実装、ピン数：3 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：58 W 、標準ターンオン遅延時間：12ns 、 Infineon OptiMOS P PチャンネルパワーMOSFET. Infineon OptiMOS PチャンネルパワーMOSFETは、高性能に適合する強化機能を発揮するように設計されています。超低スイッチングロス、オン状態の抵抗、アバランシェ定格を含む機能だけでなく、自動車ソリューション向けのAEC認定も備えています。用途には、dc-dc、モータ制御、車載、eMobilityが含まれます。. 強化モードアバランシェ定格スイッチングロスと導電損失が低い無鉛めっき、RoHS準拠標準パッケージ OptiMOS Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲

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質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

回答：: お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
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1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
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4：ChemSHERPA
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