製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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Infineon PチャンネルパワーMOSFET

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内容量1リール(4000個) 仕様チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：7.2 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：20 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：53 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：1.1V 、最低ゲートしきい値電圧：0.4V 、最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V 、パッケージタイプ：PQFN 、実装タイプ：表面実装、ピン数：6 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：9.6 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。注文コード49261014 品番IRLHS2242TRPBF

9月21日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は87,980円となります。

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥95,678

販売価格(税別)

￥86,980

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仕様チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：7.2 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：20 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：53 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：1.1V 、最低ゲートしきい値電圧：0.4V 、最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V 、パッケージタイプ：PQFN 、実装タイプ：表面実装、ピン数：6 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：9.6 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 RoHS指令(10物質対応)対応

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よくあるご質問(FAQ)

質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

回答：: お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名）
1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）