仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:9.1 A、11 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:13.7 mΩ, 20.5 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:2.35V 、 最低ゲートしきい値電圧:1.35V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SOIC 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:2 W 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
RoHS指令(10物質対応)対応