内容量1セット(25個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:26 A●最大ドレイン-ソース間電圧:1200 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:460 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:6.5V●最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V●パッケージタイプ:TO-264●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:960 W●トランジスタ素材:Si●NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM))
注文コード49302235
品番IXFK26N120P