内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:36 A●最大ドレイン-ソース間電圧:1000 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:240 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:5V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-227B●実装タイプ:パネルマウント●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:700000 mW●高さ:9.6mm●NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET(TM)シリーズ
注文コード49302603
品番IXFN36N100