内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:360 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:2.6 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4.5V●最低ゲートしきい値電圧:2.5V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-227●実装タイプ:表面実装●ピン数:4●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:830 W●標準ターンオフ遅延時間:80 ns●NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET(TM) GigaMOS(TM)シリーズ
注文コード49302619
品番IXFN360N10T