内容量1セット(20個)
仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:600 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:40 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:1.3 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:3.5V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SMPD 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:24 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:830 W 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM)GigaMOS(TM)シリーズ
注文コード49303206
品番MMIX1T600N04T2