Microchip Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(25個) 仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:230 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:7.5 Ω 、 最大ゲートしきい値電圧:2.5V 、 最低ゲートしきい値電圧:1V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V 、 パッケージタイプ:TO-92 、 実装タイプ:スルーホール 、 トランジスタ構成:シングル 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:1 W 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 2N7008 NチャンネルMOSFETトランジスタ. Microchip 2N7008は、強化モード(通常オフ)トランジスタで、垂直型DMOSの構造を採用しています。 この製品は、バイポーラトランジスタの対応電力容量、及びMOSデバイスの高入力インピーダンスと正の温度係数を組み合わせた設計になっています。. 特長. 2次降伏なし 低駆動電力要件 並列動作が簡単 低C ISS 及び高速なスイッチング速度 優れた熱安定性 ソース-ドレインダイオードを内蔵 高入力インピーダンス及び高ゲイン 注文コード49517948 品番2N7008-G
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥2,418
販売価格(税別)
2,198
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仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:230 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:7.5 Ω 、 最大ゲートしきい値電圧:2.5V 、 最低ゲートしきい値電圧:1V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V 、 パッケージタイプ:TO-92 、 実装タイプ:スルーホール 、 トランジスタ構成:シングル 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:1 W 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 2N7008 NチャンネルMOSFETトランジスタ. Microchip 2N7008は、強化モード(通常オフ)トランジスタで、垂直型DMOSの構造を採用しています。 この製品は、バイポーラトランジスタの対応電力容量、及びMOSデバイスの高入力インピーダンスと正の温度係数を組み合わせた設計になっています。. 特長. 2次降伏なし 低駆動電力要件 並列動作が簡単 低C ISS 及び高速なスイッチング速度 優れた熱安定性 ソース-ドレインダイオードを内蔵 高入力インピーダンス及び高ゲイン RoHS指令(10物質対応)対応

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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