仕様チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:200 mA, 350 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:1.4 Ω、4.1 Ω●最大ゲートしきい値電圧:1.1V●最低ゲートしきい値電圧:0.6V●最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V●パッケージタイプ:SOT-363 (SC-88)●実装タイプ:表面実装●ピン数:6●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:トレンチMOSFET●最大パワー消費:990 mW●標準ターンオフ遅延時間:65 ns, 69 ns●デュアルN / PチャンネルMOSFET、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応