内容量1袋(50個)
仕様●チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:2 A、4.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:85 mΩ, 190 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:TSOT-26●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:絶縁型●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.3 W●高さ:0.9mm
注文コード50144895
品番DMG6601LVT-7