内容量1袋(100個)
仕様●チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:2.1 A、3.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:100 mΩ, 140 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:TSOT-26●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:絶縁型●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.27 W●1チップ当たりのエレメント数:2
注文コード50144913
品番DMG6602SVT-7