仕様チャンネルタイプ:N, P 、 最大連続ドレイン電流:2.1 A、3.7 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:180 mΩ, 330 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:3V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:DFN 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:2.45 W 、 動作温度 Min:-55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応