仕様チャンネルタイプ:N, P 、 最大連続ドレイン電流:2.3 A、2.4 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:300 mΩ, 320 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:4V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SOIC 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:2.4 W, 2.6 W 、 動作温度 Max:+150 ℃