仕様●チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:2.3 A、2.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:300 mΩ, 320 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:絶縁型●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.4 W, 2.6 W●標準入力キャパシタンス @ Vds:497 pF @ 50 V、717 pF @ -50 V