仕様チャンネルタイプ:N, P 、 最大連続ドレイン電流:2.3 A、8.5 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:32 mΩ, 85 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SOIC 、 実装タイプ:表面実装 、 トランジスタ構成:絶縁型 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:1.5 W 、 動作温度 Max:+150 ℃