仕様チャンネルタイプ:N, P 、 最大連続ドレイン電流:2.6 A、4.7 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:75 mΩ, 125 mΩ 、 最低ゲートしきい値電圧:1V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:SOIC 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:2.1 W 、 動作温度 Min:-55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応