仕様●チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:2.6 A、4.7 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:75 mΩ, 125 mΩ●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:絶縁型●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.1 W●標準入力キャパシタンス @ Vds:1021 pF @ -30 V、1063 pF @ 30 V
RoHS指令(10物質対応)対応