仕様●チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:4.1 A、9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:40 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:32 mΩ, 55 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2.4V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.8 W●標準ゲートチャージ @ Vgs:19.1 nC @ 10 V、21.5 nC @ 10 V