仕様●チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:7 A、8.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:32 mΩ, 53 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2.2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:絶縁型●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.5 W●標準ターンオフ遅延時間:26.3 ns、50.1 ns
RoHS指令(10物質対応)対応