仕様チャンネルタイプ:P 、 最大連続ドレイン電流:11 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:17 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:1V 、 最大ゲート-ソース間電圧:+8 V 、 パッケージタイプ:POWERDI3333 、 実装タイプ:表面実装 、 トランジスタ構成:シングル 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:41 W 、 動作温度 Min:-55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応