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仕様●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:5.6 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:40 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:絶縁型●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2100 mW●標準入力キャパシタンス @ Vds:1407 pF @ 40 V
注文コード50173979
品番ZXMN6A09DN8TA