仕様●チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:1.8 A、3.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V (Nチャンネル)、-30 V (Pチャンネル)●最大ドレイン-ソース間抵抗:180 mΩ, 330 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SM●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.7 W●長さ:6.7mm
RoHS指令(10物質対応)対応