仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)340
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)210
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)6
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
