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FQB5N90TM onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FQB5N90TM onsemi パッケージD2PAK ピン数(ピン)2 + Tab 1チップ当たりのエレメント数1 68068308

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FQB5N90TM

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内容量1箱(5個) 注文コード68068308 品番FQB5N90TM

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥2,418

販売価格(税別)

￥2,198

仕様

この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode5.4A 、 900 V 、 RDS ( on )
2.7 A 低ゲート電荷量(標準) 31 nC ) 低 CRSs (標準) 13 pF ) 用途照明

ピン数(ピン)2 + Tab RoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大パワー消費(W)158 最大動作温度(℃)150

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