仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：1.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.6 nC @ 5 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷
パッケージSOT-223
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)2000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)350
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
