仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：1.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 10 V高さ(mm)0.95ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージMLPAK33実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)42000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)150最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
