仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：3.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.1 nC @ 10 V
高さ(mm)1.7
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
パッケージSOT-223
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)2.2
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)189
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
