仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：11.5 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)69
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
