仕様このデュアル N / P チャンネル拡張モード電界効果トランジスタは、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産されており、特にオン状態抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失及び高速スイッチングが必要な低電圧用途やバッテリ駆動用途に最適です。Q1 ： N チャネル 7.0 A 、 30 V RDS ( ON )
-4.5 V 高速スイッチング速度 幅広く使用されている表面実装パッケージ
ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大パワー消費(W)2最大動作温度(℃)150
