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FDT458P onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 3.4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン onsemi シリーズPowerTrench シングル 最大パワー消費3000mW 68199680

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onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 3.4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン

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内容量1箱(10個) 注文コード68199680 品番FDT458P
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ￥1,318
販売価格(税別)
￥1,198
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷 シリーズPowerTrench ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプP チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)3.4 最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)130 最小ゲートしきい値電圧(V)1 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費3000 mW

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