仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)900
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)220
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費350 mW
