onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.5 A、6.4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

Name: onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.5 A、6.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 絶縁型 高さ1.575mm 1箱(10個) FDS8958B
Brand: onsemi
SKU: 68200197
Price: 901 JPY
Availability: InStock

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内容量1箱(10個) 注文コード68200197 品番FDS8958B

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥901

販売価格(税別)

￥819

仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している幅(mm)3.9 高さ(mm)1.575 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)4.5、6.4 最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)3980 最小ゲートしきい値電圧(V)1 最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、-20、+20、+25 トランジスタ構成絶縁型最大パワー消費1.6 W、2 W