onsemi N， Pチャンネル MOSFET60 V 3.5 A、4.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

Name: onsemi N， Pチャンネル MOSFET60 V 3.5 A、4.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 最大パワー消費2W 絶縁型 高さ1.5mm 1リール(2500個) FDS4559
Brand: onsemi
SKU: 68201509
Price: 153780 JPY
Availability: InStock

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内容量1リール(2500個) 注文コード68201509 品番FDS4559

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥153,780

販売価格(税別)

￥139,800

仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している幅(mm)4 高さ(mm)1.5 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P 最大パワー消費(W)2 チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.5 、4.5 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)55105 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20 トランジスタ構成絶縁型