チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 4.8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2.1 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 4mm
高さ = 1.5mm
デュアルPチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
