チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 1.7 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
長さ = 3.1mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc