チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 115 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SOT-363
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 200 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.35mm
高さ = 1mm
デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
