チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 3.7 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = SOT-223
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最大パワー消費 = 3.9 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
長さ = 6.7mm
高さ = 1.7mm
PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc