トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 500 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 1 W
最小DC電流ゲイン = 100
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
最大動作周波数 = 300 MHz
ピン数 = 16
1チップ当たりのエレメント数 = 4
動作温度 Max = +150 ℃mm
デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild Semiconductor
