トランジスタタイプ = NPN 最大DCコレクタ電流 = 200 mA 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V パッケージタイプ = SOIC 実装タイプ = 表面実装 最大パワー消費 = 1 W トランジスタ構成 = 絶縁型 最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V 最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V 最大動作周波数 = 250 MHz ピン数 = 16 1チップ当たりのエレメント数 = 4 寸法 = 10 x 4 x 1.5mm デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild Semiconductor