チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 13.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大パワー消費 = 2500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V
長さ = 5mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
