チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 1.9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
シリーズ = PowerTrench
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 270 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大パワー消費 = 960 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V
幅 = 1.7mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrenchR MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を採用しています。この高度な技術を利用することで、このデバイスのFOM(性能指数)は前世代の製品よりも大幅に低くなっています。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバ回路の除去、または高電圧定格MOSFETを置き換えることができます。
