チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 2.4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 85 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1.2V
最大パワー消費 = 730 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V
長さ = 2.9mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor
