チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 2.9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = TSOP-6
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 142 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 1.4 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.7mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V
