チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 880 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = SOT-363
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1.2V
最大パワー消費 = 350 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V
幅 = 1.35mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
デュアルPチャンネルMOSFET、ON Semiconductor
