チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 760 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = SC-75
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1.2V
最大パワー消費 = 300 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V
幅 = 0.9mm
高さ = 0.8mm
NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor
