チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 1.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = SOT-223
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 760 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 3.1 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V
幅 = 3.7mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
